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| 內容簡介： |
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本书主要介绍模拟集成电路的分析和设计，每章均配有基于华大九天Empyrean Aether 的实例，注重理论基础和实践的结合。全书共13 章，前6 章从半导体物理和器件物理的基础开始，逐步讲解并分析模拟集成电路中的各种基本模块；第7 章介绍带隙基准电路；第8～10 章主要讨论模拟电路的噪声、反馈和稳定性、运算放大器等内容；第11～13 章针对常用的复杂模拟集成电路展开讨论，主要括开关电容放大器、模数转换器与数模转换器、锁相环等。本书点如下：（1）本书是国内第一本基于国产EDA工具讲授模拟IC设计的理论和实践教材，对书中的案例配以详细的实践案例；（2）本书从基础理论出发，系统全面讲解了模拟IC设计的全内容，并配以详尽的原理阐释、公式推导和案例分析；（3）本书内容体系完备，不仅可用于本科生模拟IC设计的入门教材，也可用于研究生段进一步深入学的教材
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| 目錄：
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第1 章 绪论 ................................................................................................................................. 1
1.1 模拟集成电路的应用 .................................................................................................... 1
1.2 模拟集成电路设计流程 ................................................................................................ 2
1.3 华大九天Empyrean Aether 简介 .................................................................................. 3
第2 章 MOS 器件的基础性 ................................................................................................... 5
2.1 半导体物理基础 ............................................................................................................ 5
2.1.1 单晶硅的晶体结构 ............................................................................................. 5
2.1.2 半导体能带理论及载流子浓度 ......................................................................... 6
2.1.3 施主与受主杂质 ................................................................................................. 8
2.1.4 载流子的漂移运动和扩散运动 ......................................................................... 9
2.2 PN 结 ............................................................................................................................ 10
2.3 MIS 结构 ...................................................................................................................... 12
2.4 MOSFET 结构及其基本制造工艺流程 ..................................................................... 13
2.4.1 MOSFET 结构 .................................................................................................. 13
2.4.2 基本制造工艺流程 ........................................................................................... 14
2.5 MOSFET 的电学性 ................................................................................................. 20
2.5.1 阈值电压 ........................................................................................................... 20
2.5.2 I-V 性分析 ..................................................................................................... 24
2.5.3 MOS 器件电容 ................................................................................................. 28
2.5.4 小信号模型 ....................................................................................................... 29
2.6 MOSFET 的I-V 性分析 .................................................................................. 30
题 ....................................................................................................................................... 32
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