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| 內容簡介： |
日本生產工程權威獎項得主力作，圖解與表格詳實，帶領工程師掌握半導體乾蝕刻技術的全貌，提升現場即戰力。
◎作者於1989年，以「有磁場微波電漿蝕刻技術的開發與實用化」受獎大河內紀念賞。1994年，以「低溫乾蝕刻設備的開發」受獎機械振興協會賞通產大臣賞。
◎圖解乾蝕刻技術的原理與實務，讓你一讀即懂。
◎由製程直到設備、新技術，更進一步設置有關電漿損傷的章節，以便理解全貌並了解乾蝕刻今後的課題與展望。
針對半導體乾蝕刻技術涉及的電漿物理、化學、材料、電磁等複雜現象，循序解析，詳解各環節的連帶影響，提升現場即時應變的作戰能力，為優秀工程師養成必備的工具書！
非等向性蝕刻是如何實現？為何Si的蝕刻使用Cl2及HBr，而SiO2的蝕刻則使用氟碳系列的氣體？為何Poly-Si及Al的蝕刻使用ICP（電感耦合式電漿）之類的高密度電漿，而SiO2的蝕刻則使用中密度電漿於間距狹窄的平行板型蝕刻機？
本書告訴你這些連現場資深乾蝕刻工程師都不見得充分理解的知識。
從乾蝕刻技術的基礎講到應用，讓初學者容易理解與整理；對於已有程度、經驗的工程師而言，讀之更加能理解、掌握乾蝕刻技術的全貌。
《半導體乾蝕刻技術》精彩內容請看：www.pressstore.com.twfreereading9789863581291.pdf
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| 關於作者： |
野尻一男（NojiriKazuo）
■1973年 群馬大學工學部電子工學科畢業。
■1975年 群馬大學大學院工學研究科碩士課程修畢。
■1975年 進入日立製作所。在半導體事業部從事CVD、元件整合、乾蝕刻的研究開發。尤其是關於ECR電漿蝕刻、充電損傷，進行先驅的研究。而且擔任技術開發的領導，歷任許多經理職務。
■2000年 進入LamResearch公司擔任董事 CTO至今。
主要受獎
■1989年 以「有磁場微波電漿蝕刻技術的開發與實用化」受獎大河內紀念賞。
■1994年 以「低溫乾蝕刻設備的開發」受獎機械振興協會賞通產大臣賞。
主要著作
《先端電氣化學》（丸善）共著
《半導體プロセスにおけるチャージング ダメージ》リアライズ社）共著
譯者簡介
倪志榮（Ni,Chih-Jung
■1988年 國立清華大學畢業
■1991年 中日交流協會留日獎學生
■1993年 日本東京大學工學院碩士
■2014年 中部科學園區模範勞工
■曾任地球村美日語中心日語講師
現職華邦電子公司模組技術發展部經理，從事DRAM與Flash的製程研發。
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| 目錄：
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序言
譯者序
第１章 半導體積體電路的發展與乾蝕刻技術
1.1乾蝕刻的概要
1.2關於乾蝕刻的評鑑參數
1.3在大型積體電路上乾蝕刻技術所扮演的角色
參考文獻
第２章 乾蝕刻的機制
2.1電漿的基礎
1電漿是什麼
2電漿的各物理量
3電漿中的碰撞反應過程
2.2離子鞘以及離子鞘內的離子行為
1離子鞘與Vdc
2離子鞘內的離子散射
2.3蝕刻製程的建構方法
1乾蝕刻的反應過程
2非等向性蝕刻的機制
3側壁保護過程
4蝕刻率
5選擇比
6總結
參考文獻
第３章 各種材料的蝕刻
3.1閘極蝕刻
1Poly-Si閘極蝕刻
2晶圓面內CD均勻度的控制
3WSi2／Poly-Si閘極蝕刻
4W／WN／Poly-Si閘極蝕刻
5Si基板的蝕刻
3.2SiO2蝕刻
1SiO2蝕刻的機制
2SiO2蝕刻的關鍵參數
3孔洞系列的蝕刻
4SAC蝕刻
5Spacer蝕刻
3.3連線蝕刻
1Al連線蝕刻
2Al連線的防腐蝕處理技術
3其它連線材料的蝕刻
3.4總結
參考文獻
第４章 乾蝕刻設備
4.1乾蝕刻設備的歷史
4.2圓筒型電漿蝕刻機
4.3CCP電漿蝕刻機
4.4磁電管RIE
4.5ECR電漿蝕刻機
4.6ICP電漿蝕刻機
4.7乾蝕刻設備的實例
4.8靜電吸盤
1靜電吸盤的種類以及吸附原理
2晶圓溫度控制的原理
參考文獻
第５章 乾蝕刻損傷
5.1導入Si表層的損傷
5.2充電損傷
1充電損傷的評鑑方法
2充電的發生機制
3各種蝕刻設備的充電評鑑與減低方法
4起因於圖形的閘極氧化層破壞
參考文獻
第６章 新蝕刻技術
6.1Cu鑲嵌蝕刻
6.2Low-k蝕刻
6.3使用多孔型Low-k的鑲嵌連線
6.4金屬閘極／High-k蝕刻
6.5FinFET蝕刻
6.6雙重圖形定義
6.7用於3DIC的蝕刻技術
參考文獻
第７章 乾蝕刻技術今後的課題與展望
7.1關於乾蝕刻的技術革新
7.2今後的課題與展望
7.3作為工程師的心理準備
參考文獻
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